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台灣積體電路(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company，TSMC)於美國華盛頓特區(Washington D.C.)舉行的國際電子元件大會(International Electron Devices Meeting，IEDM)中發表論文，宣佈開發出專業積體電路製造服務領域第一個同時支援類比及數位積體電路的32奈米製程技術。

此篇論文中同時指出，台積電已經成功試產出電晶體位元單元(bit cell)尺寸最小的2Mb 32奈米靜態隨機存取記憶體(SRAM)，並且通過功能驗證。台積電此一32奈米製程將提供低耗電量及高密度記憶體最佳化的競爭優勢，並具備多種記憶體元件尺寸供客戶選擇，充分滿足客戶在產品性能及效率最佳化的考量。

此一低耗電量製程具備低待機耗電量電晶體、類比及射頻功能、銅導線以及低介電係數(low-k)材料導線等特點，適合用於生產可攜式產品所需的系統單晶片。針對客戶多樣不同的市場應用需求，台積電未來將提供多樣完整的32奈米製程，包括數位、類比、射頻以及高密度記憶體等製程。

此外，台積電32奈米製程是第一個無須採用高介電係數(high-k)材料及金屬閘極(metal gate)，就可以達到設定的電晶體效能規格。此一尺寸僅0.15平方微米的高密度SRAM是採用193奈米浸潤式(immersion lithography)雙重曝影(double patterning)所達成。