晶電(2448.TW)成立於1996年九月十九日,為高亮度磷化鋁鎵銦(AlGaInP)發光二極體的磊晶片(Epi Wafer)及晶粒(Chip)、氮化銦鎵磊晶片與晶粒(InGaN Epi Wafer & Chip),紅外線砷化鋁鎵磊晶片及晶粒(AlGaAs Wafer & Chip)生產廠商。公司主要大股東為億光、聯電、及萬海,在合併國聯光電與元砷光電後已成為全球最大磊晶片及晶粒製造商。

UHB產品為晶電未來進入高階市場(照明、車用、裝飾)重點產品。

InGaN產品為最大宗,可區分為Mars、Luna 及Venus,已可小量生產1800mcd以上產品,亮度等級居國內業者之冠。

晶電幫國際大廠T.G.代工高亮度的藍光晶粒Venus,而高亮度1600mcd以上應用主要以NB背光源等應用為主,晶電量產技術已達1800mcd,2008下半年技術則突破至2000mcd。晶電為國內唯一藍光晶粒亮度可達1800mcd廠商,在技術上領先國內其他上游晶粒廠。

晶電2008年三月各項產品出貨量分別為四元1350KK、UHB 60K、一般藍光37KK、Venous 300KK。

在NB背光模組用LED上,晶電以ODM方式於2008第三季開始出貨,另外自有品牌之1800mcd晶粒以區域型NB廠商為主,例如中國本土品牌為行銷對象。

2009年受惠LED NB背光需求;照明與戶外看板;電視背光部分,於2009年第二季開始陸續發酵,2009年第三季在產能利用率回升,產品組合較佳下,毛利率將回升至21%。

產能方面,2009年底四元(AlGaInP)產能約1600KK/月,高亮度四元(UHB )產能約300 KK/月,氮化物(InGaN)產能約1600KK/月。出貨量及市佔率分別躍居為全球第一及第三位(僅次於日系廠商Nichia 與Toyoda Gosei)。

晶電MOVCD機台於2009年底達到200台,2009年入股泰谷以及南亞光電,兩家公司的MOVCD機台分別為24及5台。

晶電董事會於2009年12月21日董事會通過,斥資800萬美元(約2.6億台幣)投資聯電集團主導的冠銓(山東)光電,取得50%股權。晶電在大陸地區有廈門廠和大連廠,並在常州新建自有LED磊晶/晶粒產線,常州廠是中國最大的生產基地,擬於2011年投產,以鎖定中國北方地區照明市場之商機。

晶電在LED上游磊晶廠中已投資泰谷(持股約20%)和南亞光電二家廠商。

2010年4月,取得晶電台塑集團南亞光電超過40%股權,與台塑並列南亞光電最大的股東,南亞光電有5台MOCVD設備,年底MOCVD機台增至10台。南亞光電未來以LED照明為主,已推出節能LED路燈、LED日光燈組、LED燈泡(MR16)以及LED櫥櫃燈條等產品。

2010年5月,與英業達集團的LED磊晶廠廣鎵、穩懋策略聯盟,並入股取得廣鎵47.9%股權。

至2010年底,晶電與轉投資集合MOCVD機台數分別為:晶電170 台、廣鎵60台、泰谷46台、南亞10台,合計年底前總機台可達286台,從設備產能來看,晶電2010年市佔率達17%,全球排名前三大。

2010年6月,晶電與LED封裝龍頭廠億光及全球液晶電視、監視器龍頭代工廠冠捷策略合作,三方共投資2,500萬美金,在大陸福建省福清市合資設立LED Light Bar及LED封裝廠,新公司-億冠晶為億光持股65%,冠捷持25%、晶電持10%的股權。

2010年9月,晶電與與日本豐田合成(Toyoda Gosei)專利交互授權,包含藍光InGaN(氮化銦鎵)LED與四元AlGaInP(磷化鋁鎵銦)LED之技術,全球5大LED廠,包括豐田合成Toyoda Gosei、Osram、飛利浦、Cree、日亞化學Nichia都已簽訂交互專利授權,晶電是豐田合成在5大廠以外,唯一簽訂交互專利授權合約的廠商,並且雙方計畫在台灣設立合資LED公司-豐晶光電,專用於研發與銷售LED晶粒產品。

2010年10月,晶電與中國電子信息產業集團CEC之子公司合資於廈門設立新公司-開發晶,雙方持股方面,CEC集團持股比例約44%,晶電持股比例約40%,晶電負責提供LED磊晶和晶粒生產,合資公司不設置LED封裝生產線,將封裝製程外包,模組部分則由合作夥伴進行規劃。2011年1月,億冠晶入股開發晶,並負責其封裝業務。

2011年2月,與台達電在廣州合資成立LED磊晶,投資3525萬美元成立廣州晶鑫光電,台達電擁有下游LED照明的封裝和系統之能力。

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