半導體界‘六大天王’風雲錄

SEMI預測,2010年全球晶圓廠成長幅度將達64%,規模達240億美元。但預計其中很大部份(約140億美元)將來自少數幾家公司──半導體界的‘六大天王’(Fantastic Six),已經宣佈了他們積極的投資計畫。

在這前所未見的低迷氣氛中,過去一年來,這些公司發佈的大規模投資計畫著實令人驚訝。SEMI的研究顯示,未來2年內,這六家公司還將投入大量資金,以迎接經濟挑戰。


台積電(TSMC):在經濟衰退之際,台積電仍然連續兩次調高了資本支出。2009年5月,台積電首次將其資本支出計劃從15億美元擴大為19億美元,而在同年7月底,再次宣佈加碼至23億美元。2010年,隨著半導體需求持續復甦,加上全球經濟開始走出衰退陰影,台積電的資本支出也預計將達到20億美元以上。


GlobalFoundries:GlobalFoundries的合作夥伴──來自杜拜的ATIC公司,投資了21億美元購買其晶圓廠股份。ATIC已承諾額外注入36億美元股票資金(equity funding),並在未來5年內提高至60億美元,協助GlobalFoundries擴展業務。2009年,該晶圓廠的資本支出估計在6~7億美元之間,未來兩年則可望提升至每年10億美元以上。


東芝(Toshiba):2009年6月,東芝開始在全球股票市場集資30億美元進行晶圓廠投資。這是過去8年來,全日本由非金融公司所進行的最大股票發行案。東芝將繼續專注於NAND快閃記憶體,並擴大其與IBM聯盟的夥伴關係,並更新與三星(Samsung)的NAND專利協議。東芝公司在2009~2011會計年度的的總資本支出計畫是11億日圓(約115億美元)。其中,2009年用於半導體事業的資本支出計劃為9,400億美元。約47億美元將用於2010和2011會計年度。2010年額度約20億美元,2011年預計將稍高一些。


三星:三星的最新動作,是將位於奧斯汀的200mm產線轉換為300mm的後段製程(BEOL)產線,以支援其現有的300mm前段製程。SEMI估計,三星在2010年的資本支出約為40~50億美元,主要用於升級德州Austin 1與Austin 2,以及韓國的Line 15與Line 16產線。


英特爾(Intel):2009年4月,英特爾宣佈在未來幾年內,將花費70億美元來改善現有設施,以推動32nm技術量產。SEMI預測,這70億美元中,約有30~40億美元會用於2009年,其餘將用在2010年。


華亞科技(Inotera):這家由南亞(NanYa)與美光(Micron)合資成立的公司宣佈了一個16億美元的計畫,將從70nm溝槽式技術轉換到50nm的堆疊電容技術,並使用浸入式蝕刻工具。華亞擁有來自於南亞母公司台塑的強大財政支柱。其工廠預計在今年稍晚至明年進行裝配,這可為該公司在2010年貢獻約10億美元的資本支出。


晶圓廠資本支出
2010年,全球的總晶圓廠支出(包括建造和裝配晶圓設施)也預計將增加64%,達240億美元。而隨著這持續升級投資,六家廠商將佔據總支出的一半以上。64%增幅看似非常高,但我們仍須考慮此一增長是以2009年的歷史最低水平為基礎。僅僅5億美元的資本支出差異,對成長率的影響就可能達到4%。

將2010年的支出額與2008年相較(見表1),增長率將出現負值。事實上,工廠的總支出(建築加裝備)在2010年將保持在2003年以來最低水平──當年的資本支出額約220億美元。
表1:2008~2010年資本支出比較
*裝配晶圓廠:任何與前端設備相關的費用,包括使用全新或二手設備的晶圓加工、光罩(mask/reticle)以及其他配套設備。


2009下半年,每季的總晶圓廠裝配(含建造和裝機)成長率可望達到2位數,到2010年還可望維持8%~15%的成長率(圖1)。
圖1:前段製程設備的支出(含建造和裝機)


2010年,花費最多資金用於建造晶圓廠的地區將是美國。但在對於裝機方面美國也將名列第一,其次是台灣和韓國。2009年,超過32家公司很對總晶圓廠資本支出的貢獻度可能達140~150億美元。而到了2010年,該數字可望變成超過40家公司共同貢獻了約240億美元的資本支出。而前面提到的六家主要業者,在2010年的資本支出額度預估將達140億美元,等同於2009年全球所有晶圓廠的總資本支出額度(140~150億美元)。


晶圓廠產能
半導體界‘六大天王’約佔全球30%產能。這些業者在2009與2010年的投資大部份集中在升級其晶圓廠,而非投資新的晶圓廠。GlobalFoundries的產能相較之下少於其他五大天王,然而,這家新進入的代工業者才剛開始擴充產能,同時也在為新的晶圓廠做準備。

經濟低迷對全球產能也造成了影響。由於2009年積弱不振的資本支出,不少生產線也宣告停止運轉。SEMI預測資料顯示,到2009年底大約有31家晶圓廠會關門大吉,另外還有16家可能在2010年退場。

2009年第一季,晶圓廠的平均產能利用率下降了約56%(業界各別公司回報的下降幅度約在30%~70%之間)。雖然一些公司(如台積電)目前正在運轉中的一些廠房利用率已達滿載,但在2009年底,整體產能利用率仍可能在70%~80%之間。
圖2:記憶體、晶圓代工、邏輯/類比及其他等不同類別產品的裝機產能。


記憶體在裝機產品中占最大比重,從2002~2007年,隨著導入300mm晶圓廠,每年成長率均保持在20%~50%。然而,2008年記憶體的產能成長率放緩至8%,2009年的成長率則約為-5%~-6%。2010年,記憶體的裝機產能成長率預估為4%~5%,與過去的高成長相比,這個數字非常低。

全球NAND市場需求在2009年預估將增加約70億GB至150億GB;在2011與2012年則將增加300億~500億GB。目前,業界僅增加極少量的裝機產能要如何滿足這些需求,仍然是一個問號。晶圓界六大天王中,生產快閃記憶體的東芝、三星與英特爾(IM Flash),將會在產能方面進行一些投資。不過,從破土到真正上線運轉,建造一家晶圓廠至少需要1~1.5年的時間,因此,在2010年投資建造的新晶圓廠無法提供任何新的產能,必須等到2011或2012年。

SEMI預測,2010年全球晶圓廠資支出增長幅度約為64%。全球各地的經濟振興方案能提升不同地區的國家生產毛額(GDP),並持續對2010年帶來更好的影響──或許可帶動其他公司加入‘六大天王’俱樂部,然後,我們談論的對象就會變成‘七大巨星’(Super Seven)。

作者:Christian Gregor Dieseldorff / SEMI資深產業分析師
轉摘自電子工程專輯

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